기술 사전 · 차이
SiC 전력반도체와 GaN 전력반도체 차이
둘 다 실리콘보다 높은 전압과 열을 견디는 차세대 전력반도체 소재예요. SiC는 높은 전압·큰 전력에, GaN은 빠른 스위칭에 강해요.
특허로 보면
2021–2025년 미국 등록특허 SiC 전력반도체 892건(-14%), GaN 전력반도체 658건(-25%). 증감은 2016–2020년과 비교, 둘 다 나온 특허는 39건이에요.
SiC 전력반도체
GaN 전력반도체
2026년(11월 3일까지): SiC 전력반도체 189건(2025년 같은 기간 155건), GaN 전력반도체 119건(2025년 같은 기간 119건).
세는 법: 미국 등록특허 제목·초록(영문)에 silicon carbide, SiC (power·transistor·device 단어가 함께 나온 것만) / gallium nitride, GaN (power·transistor·amplifier 단어가 함께 나온 것만, 생성적 적대 신경망 GAN은 제외)이(가) 나온 특허.
특허가 많은 상장사(2021–2025년)
SiC 전력반도체
GaN 전력반도체
분석 대상 142곳 가운데 건수 상위 5곳이에요. 특허 수는 기술 활동을 보여 주지만 기술력이나 주가를 뜻하지는 않아요.